MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5806
- Référence fabricant:
- IRFR7540TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,05 €
HT
14,45 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 1 465 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,41 € | 12,05 € |
| 50 - 120 | 2,12 € | 10,60 € |
| 125 - 245 | 1,996 € | 9,98 € |
| 250 - 495 | 1,916 € | 9,58 € |
| 500 + | 1,864 € | 9,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5806
- Référence fabricant:
- IRFR7540TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 86nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 86nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon présente une robustesse améliorée au niveau de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique, ainsi qu'une capacité et une aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées.
Amélioration de la capacité dV/dt et dI/dt des diodes de corps
Sans plomb, conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 16 A 110 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 99 A 60 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 79 A 60 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 60 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 61 A 55 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 5 A 200 V, TO-252 HEXFET