MOSFET canal N Infineon 99 A 60 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-9458
Référence fabricant:
IRLR3636TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

99A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

8.3mΩ

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33nC

Dissipation de puissance maximum Pd

143W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRLR d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N simple de 60 V dans un boîtier D-Pak. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier à montage en surface standard

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

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