MOSFET canal N Infineon 99 A 60 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9456
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 833,00 €
HT
2 199,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,611 € | 1 833,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9456
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 99A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.3mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 143W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 99A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.3mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 143W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRLR d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N simple de 60 V dans un boîtier D-Pak. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier à montage en surface standard
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
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