MOSFET canal N Infineon 99 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 830-3372
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRPBF
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 830-3372
- Référence fabricant:
- IRLR3636TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 99A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16V, +16V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 143W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 49nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.39mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 99A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16V, +16V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 143W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 49nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.73mm | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.39mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximum de 99 A - IRLR3636TRPBF
Ce MOSFET d'amélioration à canal N d'Infineon est un transistor de puissance conçu pour la commutation à courant élevé dans les circuits montés en surface. Il fonctionne sur une large plage de températures et convient aux applications nécessitant une gestion robuste de la tension drain-source et une capacité de courant continu importante. Le dispositif est doté d'un boîtier TO-252 pour un montage compact au niveau de la carte et d'une valeur nominale de grille qui prend en charge les tensions de commande de grille typiques.
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu maximal de 99 A permet une commutation à courant élevé
• La tension drain-source maximale de 60 V prend en charge les systèmes à moyenne tension
• Très faible Rds(on) de 8,3 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance maximale de 143 W permet un fonctionnement durable à haute puissance
• La charge de grille typique de 49 nC permet une dynamique de commutation prévisible
• La tension directe de 1,3 V minimise la chute de tension sous charge
• La tension drain-source maximale de 60 V prend en charge les systèmes à moyenne tension
• Très faible Rds(on) de 8,3 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance maximale de 143 W permet un fonctionnement durable à haute puissance
• La charge de grille typique de 49 nC permet une dynamique de commutation prévisible
• La tension directe de 1,3 V minimise la chute de tension sous charge
Applications
• Idéal pour les étapes de commande de moteur dans les actionneurs électriques
• Convient aux convertisseurs et régulateurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les modules de gestion de batterie et de distribution d'alimentation
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Convient à la commutation industrielle dans les variateurs de vitesse
• Convient aux convertisseurs et régulateurs c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les modules de gestion de batterie et de distribution d'alimentation
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Convient à la commutation industrielle dans les variateurs de vitesse
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors de la conception?
Le dispositif ne doit pas être piloté au-delà d'une valeur nominale de source de grille de 16 V afin d'éviter la contrainte à l'oxyde de grille et de garantir une commutation fiable.
Quelles conditions thermiques peut-il tolérer en fonctionnement?
Le transistor est spécifié pour fonctionner entre -55 °C et 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiques exigeants avec une gestion thermique appropriée.
Comment le boîtier affecte-t-il la disposition et le montage de la carte?
Le format à montage en surface TO-252 offre un encombrement compact et un chemin thermique vers le circuit imprimé, facilitant les connexions à faible inductance et un transfert de chaleur efficace.
Comment son type de canal influence-t-il le comportement de commutation?
En tant que dispositif d'amélioration à canal N, il nécessite un entraînement de grille positif par rapport à la source pour s'allumer, offrant de faibles Rds(on) lorsqu'il est entraîné de manière appropriée.
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