MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5550
- Référence fabricant:
- IRFR7540TRPBF
- Marque:
- Infineon
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1 394,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,697 € | 1 394,00 € |
| 4000 + | 0,662 € | 1 324,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5550
- Référence fabricant:
- IRFR7540TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 86nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 86nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon présente une robustesse améliorée au niveau de la grille, de l'avalanche et du dV/dt dynamique, ainsi qu'une capacité et une aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées.
Amélioration de la capacité dV/dt et dI/dt des diodes de corps
Sans plomb, conforme à la directive RoHS
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