MOSFET canal N Infineon 110 A 60 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9440
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,852 € | 9,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9440
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.1mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 88nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.1mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 88nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un transistor de puissance HEXFET à canal n simple de 60 V dans un boîtier D2 sans plomb.
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V (appelée niveau normal)
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
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