MOSFET canal N Infineon 34 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 3

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Code commande RS:
911-4868
Référence fabricant:
IPB320N20N3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

34A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

OptiMOS 3

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

32mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Dissipation de puissance maximum Pd

136W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.31mm

Hauteur

4.57mm

Normes/homologations

No

Largeur

9.45mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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