MOSFET canal N Infineon 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 3

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Code commande RS:
897-7361
Référence fabricant:
IPB083N10N3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

OptiMOS 3

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

15.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

10.31mm

Hauteur

4.57mm

Largeur

9.45mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS non applicable

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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