MOSFET et Diode canal N Infineon 80 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS 3
- Code commande RS:
- 220-7381
- Référence fabricant:
- IPB065N10N3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 234,00 €
HT
1 481,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 22 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,234 € | 1 234,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7381
- Référence fabricant:
- IPB065N10N3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | OptiMOS 3 | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 6.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série OptiMOS 3 | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 6.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance Infineon 100 V OptiMOS offrent des solutions supérieures pour les alimentations à haute efficacité et haute densité de puissance. Par rapport à la technologie la plus adaptée, cette famille atteint une réduction de 30 % à la fois du R DS(on) et du mérite.
Excellentes performances de commutation
R DS(on) la plus faible au monde
Très faible QG et Q GD
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Ecologique.
Rendement accru
Densité de puissance la plus élevée
Moins de mise en parallèle nécessaire
Très petite consommation d'espace sur la carte
Produits faciles à concevoir
Nos clients ont également consulté
- MOSFET et Diode canal N Infineon 80 A 100 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 80 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 80 A 55 V Enrichissement TO-263 OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 80 A 100 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 80 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 5 80V
- MOSFET et Diode canal N Infineon 120 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 3
- MOSFET et Diode canal N Infineon 180 A 80 V Enrichissement TO-263 OptiMOS 3
- MOSFET P Infineon 80 A 40 V Enrichissement TO-263 OptiMOS P AEC-Q101