MOSFET de puissance 2 canal N Isolé DiodesZetex 260 mA 30 V Enrichissement, 6 broches, SC-88 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 165-8844
- Référence fabricant:
- DMN63D8LDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
123,00 €
HT
147,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 19 février 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,041 € | 123,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-8844
- Référence fabricant:
- DMN63D8LDW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 260mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | SC-88 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 400mW | |
| Tension directe Vf | 0.8V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Normes/homologations | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Largeur | 1.35mm | |
| Longueur | 2.2mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 260mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier SC-88 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 400mW | ||
Tension directe Vf 0.8V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Normes/homologations UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Largeur 1.35mm | ||
Longueur 2.2mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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