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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	7A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	SuperFET
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	600mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	83W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-30V, +30V
	Tension directe Vf	1.4V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	23nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	6.22mm
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.39mm
	Standard automobile	Non

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	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 7A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Type de Boitier TO-252
	Série SuperFET
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 83W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V
	Tension directe Vf 1.4V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 23nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 6.22mm
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.39mm
	Standard automobile Non

Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.

En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

2 875,00 €

1,15 €/unité

MOSFET canal N onsemi 7 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SuperFET

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Transistors MOSFET, ON Semi

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