Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 14 A 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

Code commande RS:: 166-2732
Référence fabricant:: RFD14N05LSM
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 14 A 50 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

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Unité	Prix par unité	le tube*
75 - 75	0,615 €	46,13 €
150 - 450	0,432 €	32,40 €
525 - 975	0,381 €	28,58 €
1050 - 2475	0,371 €	27,83 €
2550 +	0,362 €	27,15 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-2732
Référence fabricant:: RFD14N05LSM
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	14A
	Tension Drain Source maximum Vds	50V
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	100mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	40nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	48W
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.5V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-10V, +10V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.22mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	6.73mm
	Hauteur	2.39mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 14A
	Tension Drain Source maximum Vds 50V
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 48W
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.5V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -10V, +10V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.22mm
	Normes/homologations No
	Longueur 6.73mm
	Hauteur 2.39mm
	Standard automobile Non

RFD14N05L/RFD14N05LSM/RFP14N05L Power MOSFET Data Sheet

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

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