MOSFET 2 canal Type P, Type N Isolé onsemi 6.5 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC PowerTrench Non
- Code commande RS:
- 166-3212
- Référence fabricant:
- FDS9934C
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 166-3212
- Référence fabricant:
- FDS9934C
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P, Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Tension directe Vf | 0.73V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Isolé | |
| Largeur | 3.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 4.9mm | |
| Hauteur | 1.575mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P, Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Tension directe Vf 0.73V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Isolé | ||
Largeur 3.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 4.9mm | ||
Hauteur 1.575mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à double canal N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Les transistors MOSFET PowerTrench® sont des commutateurs de puissance optimisés qui offrent une augmentation du rendement du système et une forte densité de puissance. Ils combinent une charge de grille (QG) réduite, une charge de recouvrement inverse (Qrr) réduite et une diode de recouvrement inverse souple, ce qui contribue à une commutation rapide du redressement synchrone dans les alimentations c.a./c.c.
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Transistors MOSFET, ON Semi
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