MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON BSZ097N10NS5
- Code commande RS:
- 170-2300
- Référence fabricant:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
2 980,00 €
HT
3 575,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 22 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,596 € | 2 980,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-2300
- Référence fabricant:
- BSZ097N10NS5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Série | BSZ097N10NS5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Série BSZ097N10NS5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Largeur 3.4mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 100 V dernière génération d'Infineon sont spécialement conçus pour une rectification synchrone dans les systèmes de télécommunications et de serveurs. En outre, ces dispositifs peuvent également être utilisés dans d'autres applications industrielles telles que l'énergie solaire, les lecteurs basse tension et les adaptateurs. Dans sept types de boîtiers différents, les nouveaux MOSFET OPTIMOS™ 5 100 V offrent les R DS(on) les plus faibles de l'industrie
Optimisé pour une rectification synchrone
Idéal pour les fréquences de commutation élevées
Réduction de la capacité de sortie jusqu'à 44 %
Réduction R DS(on) atteignant 44 %
Avantages :
Rendement système le plus élevé
Pertes de conduction et de commutation réduites
Moins de mise en parallèle nécessaire
Densité de puissance accrue
Dépassement du signal basse tension
Applications :
Télécommunications
Serveur
Solaire
Commandes basse tension
Véhicules électriques légers
Adaptateur
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V Enrichissement TSDSON BSZ097N10NS5
- MOSFET canal N Infineon 40 A 40 V Enrichissement TSDSON OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V Enrichissement TSDSON OptiMOS-TM3
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 40 A 25 V Enrichissement TSDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 126 A 40 V Enrichissement TSDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 114 A 40 V Enrichissement TSDSON OptiMOS-TM3
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS 3