Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 184 A 55 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK BUK9Y19 AEC-Q101

Code commande RS:: 170-4884
Référence fabricant:: BUK9Y19-55B,115
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 184 A 55 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK BUK9Y19 AEC-Q101

Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*

709,50 €

852,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1500 +	0,473 €	709,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-4884
Référence fabricant:: BUK9Y19-55B,115
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	184A
	Tension Drain Source maximum Vds	55V
	Série	BUK9Y19
	Type de Boitier	LFPAK
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	40mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	85W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	18nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	15V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	4.1mm
	Longueur	5mm
	Hauteur	1.05mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 184A
	Tension Drain Source maximum Vds 55V
	Série BUK9Y19
	Type de Boitier LFPAK
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 85W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 15V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 4.1mm
	Longueur 5mm
	Hauteur 1.05mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Pays d'origine :: PH

De la gestion d'une simple lampe aux besoins complexes du contrôle de puissance dans les applications de moteur, de corps ou de châssis, les semi-conducteurs de puissance de Nexperia peuvent fournir la réponse à de nombreux problèmes de puissance des systèmes automobiles.

Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à une valeur nominale de 175 °C Applications Focus MOSFET Direction assistée électrique Gestion des moteurs Générateur de démarrage intégré Contrôle de la transmission Eclairage automobile Freins (ABS) Contrôle de climatisation

Transistor à effet de champ (FET) à mode d'enrichissement et canal N de niveau logique dans un boîtier en plastique utilisant la technologie TrenchMOS. Ce produit a été conçu pour une utilisation dans les applications critiques pour l'automobile.

Faibles pertes de conduction grâce à la faible résistance à l'état passant Adapté pour les sources de commande de grille de niveau logique Adapté pour les environnements thermiquement exigeants grâce à la valeur nominale de 175 °C Charges 12 V et 24 V, Systèmes automobiles Commutation de puissance à usage général pour moteurs, lampes et solénoïdes

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