MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 IRFR5305PBF

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Code commande RS:
171-1909
Numéro d'article Distrelec:
304-36-989
Référence fabricant:
IRFR5305TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

IRFR5305PBF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

63nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

7.49mm

Longueur

6.73mm

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

Non

Non conforme RoHS

Infineon IRFR5305 est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal P simple 55 V dans un boîtier D-Pak. Le D-Pak est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage par phase vapeur, infrarouge ou à la vague.

Technologie de processus Advanced

Commutation rapide

Entièrement en avalanche

Sans plomb

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