MOSFET Infineon, PG-TO 252-3 31 A 650 V

Le transistor MOSFET à super jonction CoolMOS PFD7 de 600 V d'Infineon complète l'offre CoolMOS 7 pour les applications grand public. Le transistor MOSFET de super jonction CoolMOS PFD7 dans un boîtier TO 252 DPAK est doté d'un RDS(on) de 280 mOhm pour de faibles pertes de commutation. Les produits sont fournis avec une diode à corps rapide intégrée garantissant un dispositif robuste. La diode à corps rapide et le boîtier CMS leader de l'industrie réduisent l'espace sur le circuit imprimé et, à son tour, la facture de matériau du client. Cette famille de produits est adaptée à une densité de puissance ultra-haute ainsi qu'à des conceptions à haut rendement. Les produits s'adressent principalement aux chargeurs à très haute densité, aux adaptateurs et aux entraînements de moteur à faible consommation. Le CoolMOS PFD7 de 600 V offre un meilleur rendement léger et à pleine charge par rapport aux technologies CoolMOS P7 et CE MOSFET, ce qui entraîne une augmentation de la densité de puissance de 1,8 W/pouce3.

Excellente robustesse de commutation
Faible IEM
Large portefeuille de boîtiers
Réduction des coûts BOM et fabrication facile
Robustesse et fiabilité
Facile à sélectionner les pièces adaptées pour le réglage fin de la conception