MOSFET Infineon canal N, SO-8 11 A 30 V, 8 broches

Ce produit n’est plus distribué

Documentation technique

Infineon IRF7807Z est un transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N simple 30 V dans un boîtier SO-8.

Qualité de pointe
Faible RDS(ON) à VGS de 4,5 V
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
Très faible impédance de grille

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	11 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SO-8
Série	IRF7807ZPbF
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	18,2 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.25V
Tension de seuil minimale de la grille	1.35V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	20 V
Charge de Grille type @ Vgs	7,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Largeur	4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm
Gain en puissance typique	0
Tension directe de la diode	1V