MOSFET canal N Infineon 90 A 80 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 IPD053N08N3 G

Code commande RS:: 171-1937
Référence fabricant:: IPD053N08N3GATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 90 A 80 V Enrichissement, 5 broches, TO-252 IPD053N08N3 G

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Code commande RS:: 171-1937
Référence fabricant:: IPD053N08N3GATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	90A
	Tension Drain Source maximum Vds	80V
	Type de Boitier	TO-252
	Série	IPD053N08N3 G
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	9.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	52nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	7.36mm
	Longueur	6.73mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	2.41mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 90A
	Tension Drain Source maximum Vds 80V
	Type de Boitier TO-252
	Série IPD053N08N3 G
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 9.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 7.36mm
	Longueur 6.73mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 2.41mm
	Standard automobile Non

IPD053N08N3 Datasheet

Statut RoHS non applicable

Infineon MOSF

Infineon TO-252-3 est un nouveau produit d'âge avec une résistance de drain-source de 5,3 mohm à une tension de grille-source de Le transistor MOSFET est doté d'un courant de drain continu de 90 A. Il est doté d'une tension grille-source maximale de 20 V et d'une tension drain-source de 80 V. Sa puissance dissipée maximale est de 150 W. Le transistor MOSFET est doté d'une tension d'entraînement minimum et maximum de 6 V et 10 V respectivement. Il a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET s'attaque aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces limités. Il est conçu pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension de nouvelle génération les plus nettes dans les applications informatiques. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages

Refroidissement double face

• Excellente charge de grille x produit RDS (ON) (FOM)

Placage sans plomb (Pb)

Faible inductance parasite

Bas profil (<0, 7 mm)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

Technologie optimisée pour les convertisseurs c.c.-c.c.

• Résistance thermique supérieure

Applications

• c.a.-c.c.

Adaptateur

• c.c.-c.c.

• LED

• Commande de moteur

Alimentation PC

• alimentations de serveur

• SMPS

• Solaire

• Télécommunications

Certifications

ANSI/ESD S20.20:2014

BS EN 61340-5-1:2007

CEI 61249-2-21

JEDEC