MOSFET N Infineon 100 A 100 V Enrichissement, 8 broches, TDSON BSC035N10NS5

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Code commande RS:
171-1985
Référence fabricant:
BSC035N10NS5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TDSON

Série

BSC035N10NS5

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

70nC

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

0.82V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.49mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Infineon BSC035N10NS5 est un transistor MOSFET de puissance OptiMOS 5 100 V optimisé pour la rectification synchrone et idéal pour une haute fréquence de commutation.

Rendement système le plus élevé

Pertes de conduction et de commutation réduites

Moins de mise en parallèle nécessaire

Densité de puissance accrue

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