Références fabricant

MOSFET P Toshiba 60 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Code commande RS:: 171-2414
Référence fabricant:: TJ60S04M3L
Marque:: Toshiba

MOSFET P Toshiba 60 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

1 694,00 €

2 032,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	0,847 €	1 694,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 171-2414
Référence fabricant:: TJ60S04M3L
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	Type P
	Courant continu de Drain maximum Id	60A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	9.4mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +10V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	90W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	125nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	7mm
	Longueur	6.5mm
	Hauteur	2.3mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de produit MOSFET
	Type de canal Type P
	Courant continu de Drain maximum Id 60A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 9.4mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +10V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 90W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 125nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 7mm
	Longueur 6.5mm
	Hauteur 2.3mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: JP

Applications

Automobile

Drivers de moteur

Convertisseurs c.c.-c.c.

Régulateurs de tension à découpage

Caractéristiques

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 7 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = -10 μA (max.) (VDS = -40 V)

Mode d'enrichissement : Vth = -2 à -3 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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