Références fabricant

MOSFET canal N Toshiba 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Code commande RS:: 171-2416
Référence fabricant:: TK100S04N1L
Marque:: Toshiba

MOSFET canal N Toshiba 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

2 316,00 €

2 780,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	1,158 €	2 316,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 171-2416
Référence fabricant:: TK100S04N1L
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	100A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	4.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	180W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	76nC
	Tension directe Vf	-1.2V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	2.3mm
	Longueur	6.5mm
	Largeur	7mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 100A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 4.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 180W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC
	Tension directe Vf -1.2V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 2.3mm
	Longueur 6.5mm
	Largeur 7mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

TK100S04N1L Datasheet

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: JP

Applications

Automobile

Régulateurs de tension à découpage

Drivers de moteur

Caractéristiques

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Mode d'enrichissement : Vth = 1,5 à 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

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