MOSFET canal N Toshiba 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

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Code commande RS:
171-2426
Référence fabricant:
TK60S06K3L
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

12.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

88W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.5mm

Hauteur

2.3mm

Normes/homologations

No

Largeur

7mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
JP
Automobile

Drivers de moteur

Convertisseurs c.c.-c.c.

Régulateurs de tension à découpage

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)

Mode d'enrichissement : Vth = 2 à 3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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