Références fabricant

MOSFET canal N Toshiba 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Code commande RS:: 171-2481
Référence fabricant:: TK60S06K3L
Marque:: Toshiba

MOSFET canal N Toshiba 60 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

5,79 €

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5 +	1,158 €	5,79 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 171-2481
Référence fabricant:: TK60S06K3L
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	60A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	12.3mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	-1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	60nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	88W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	7mm
	Hauteur	2.3mm
	Longueur	6.5mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 60A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 12.3mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf -1.2V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 60nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 88W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 7mm
	Hauteur 2.3mm
	Longueur 6.5mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: JP

Automobile

Drivers de moteur

Convertisseurs c.c.-c.c.

Régulateurs de tension à découpage

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)

Mode d'enrichissement : Vth = 2 à 3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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