MOSFET canal N Toshiba 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101

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Code commande RS:
171-2499
Référence fabricant:
TK100S04N1L
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

4.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Dissipation de puissance maximum Pd

180W

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

2.3mm

Normes/homologations

No

Largeur

7mm

Longueur

6.5mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :
JP
Applications

Automobile

Régulateurs de tension à découpage

Drivers de moteur

Caractéristiques

Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)

Mode d'enrichissement : Vth = 1,5 à 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

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