MOSFET P Toshiba 8 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 171-2415
- Référence fabricant:
- TJ8S06M3L
- Marque:
- Toshiba
Indisponible
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- Code commande RS:
- 171-2415
- Référence fabricant:
- TJ8S06M3L
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 130mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +10V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 27W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 7mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 130mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +10V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 27W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 7mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- JP
Applications
Automobile
Drivers de moteur
Convertisseurs c.c.-c.c.
Régulateurs de tension à découpage
Caractéristiques
Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Faible courant de fuite : IDSS = -10 μA (max.) (VDS = -60 V)
Mode d'enrichissement : Vth = -2 à -3 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
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