MOSFET canal N Toshiba 65 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 171-2428
- Référence fabricant:
- TK65S04N1L
- Marque:
- Toshiba
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 692,00 €
HT
2 030,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 23 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,846 € | 1 692,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-2428
- Référence fabricant:
- TK65S04N1L
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 107W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 7mm | |
| Hauteur | 2.3mm | |
| Longueur | 6.5mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 107W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 7mm | ||
Hauteur 2.3mm | ||
Longueur 6.5mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- JP
Applications
Automobile
Drivers de moteur
Régulateurs de tension à découpage
Caractéristiques
Faible résistance drain-source : RDS(ON) = 3,3 mΩ (typ.)
Faible courant de fuite : IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Mode d'enrichissement : Vth = 1,5 à 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Toshiba 65 A 40 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET canal N Toshiba 60 A 60 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET canal N Toshiba 8 A 60 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET canal N Toshiba 100 A 40 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET canal N Toshiba 10 μA 250 V Enrichissement TO-252
- MOSFET P Toshiba 60 A 40 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET P Toshiba 8 A 60 V Enrichissement TO-252 AEC-Q101
- MOSFET canal N Toshiba 11.1 A 650 V Enrichissement TO-252 DTMOSIV