MOSFET canal N Vishay 33 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 EF
- Code commande RS:
- 178-0893
- Référence fabricant:
- SIHG33N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
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- Code commande RS:
- 178-0893
- Référence fabricant:
- SIHG33N60EF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 33A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | EF | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 98mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 278W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 103nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 33A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série EF | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 98mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 278W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 103nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 15.87mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.31mm | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N avec diode rapide, série EF, Vishay Semiconductor
Temps de récupération inverse, charge de recouvrement inverse, et courant de récupération inverse réduits
Facteur de mérite (FOM) faible
Faible capacité d'entrée
Robustesse améliorée grâce à la charge de recouvrement inverse faible
Très faible charge de grille (QG)
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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