MOSFET N Vishay Siliconix 14.4 A 250 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

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100 - 4951,522 €
500 - 9951,334 €
1000 +1,198 €

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
178-3875P
Référence fabricant:
Si7190ADP-T1-RE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

14.4A

Tension Drain Source maximum Vds

250V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

110mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

14.9nC

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

56.8W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Longueur

5.99mm

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

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