MOSFET canal N onsemi 65 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 NTHL
- Code commande RS:
- 178-4253
- Référence fabricant:
- NTHL040N65S3F
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 178-4253
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- NTHL040N65S3F
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | NTHL | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 158nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 446W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 20.82mm | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série NTHL | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 158nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 446W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4.82mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 20.82mm | ||
Longueur 15.87mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 32 mΩ
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
Benefits
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
End Products
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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