MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 178-4258
- Référence fabricant:
- NTPF082N65S3F
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
211,55 €
HT
253,85 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 250 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,231 € | 211,55 € |
| 100 + | 4,02 € | 201,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-4258
- Référence fabricant:
- NTPF082N65S3F
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 82mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 48W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Longueur | 10.63mm | |
| Hauteur | 16.12mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 82mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 48W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.9mm | ||
Longueur 10.63mm | ||
Hauteur 16.12mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement TO-220 NTP067N
- MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement TO-220 NTP
- MOSFET canal N onsemi 36 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 30 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 20 A 650 V Enrichissement TO-220
- MOSFET canal N onsemi 15 A 650 V Enrichissement TO-220 UniFET