Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

Code commande RS:: 189-0263
Référence fabricant:: NTP150N65S3HF
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

136,50 €

164,00 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 +	2,73 €	136,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 189-0263
Référence fabricant:: NTP150N65S3HF
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	24A
	Tension Drain Source maximum Vds	650V
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	150mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	192W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	43nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	10.67mm
	Largeur	4.7mm
	Hauteur	16.3mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 24A
	Tension Drain Source maximum Vds 650V
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 192W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 30V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 43nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 10.67mm
	Largeur 4.7mm
	Hauteur 16.3mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet NTP150N65S3HF

Le transistor MOSFET SUPERFET III est la toute nouvelle famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension d'ON Semiconductor qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie avancée est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournir d'excellentes performances de commutation et résister à des taux dv/dt extrêmes. Par conséquent, le transistor MOSFET SUPERFET III est très adapté aux différents systèmes d'alimentation pour la miniaturisation et un rendement plus élevé. Les performances de récupération inverse optimisées du transistor MOSFET FRFET SUPERFET III de la diode de corps peuvent éliminer des composants supplémentaires et améliorer la fiabilité du système.

700 V @ TJ = 150 °C

Très faible charge de grille (typ. QG = 43 nC)

Faible capacité de sortie effective (typ. COSS(eff.) = 400 pF)

Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation

Excellentes performances de la diode à corps (faible Qrr, diode à corps robuste)

Capacité optimisée

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Perte de commutation plus faible

Plus grande fiabilité du système dans le circuit de pont complet à décalage déphasé et LLC

Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse

Applications

Télécommunication

Système Cloud

Industriel

Produits finis

Alimentation de télécommunication

Alimentation de serveur

Chargeur de véhicule électrique

Solaire/onduleur

MOSFET canal N onsemi 24 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

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