MOSFET canal N onsemi 40 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220

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Code commande RS:
178-4602
Référence fabricant:
NTPF082N65S3F
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

82mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

70nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

48W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.63mm

Largeur

4.9mm

Normes/homologations

No

Hauteur

16.12mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150 oC

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)

Optimized Capacitance

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Typ. RDS(on) = 70 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

Solar / UPS

EV charger

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