MOSFET canal N Infineon 100 A 80 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS 3
- Code commande RS:
- 178-7494
- Référence fabricant:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
5 290,00 €
HT
6 350,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,058 € | 5 290,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 178-7494
- Référence fabricant:
- BSC047N08NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | OptiMOS 3 | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.35mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série OptiMOS 3 | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.35mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, 60 à 80 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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