MOSFET canal Type P Vishay 50 A 80 V, TO-252 Non
- Code commande RS:
- 180-7417
- Référence fabricant:
- SUD50P08-25L-E3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
2 264,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,132 € | 2 264,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7417
- Référence fabricant:
- SUD50P08-25L-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0252Ω | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 136W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0252Ω | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 136W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-252-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 25,2 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 136W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs de charge
• Ordinateurs portables
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