MOSFET Vishay

Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 11,2 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 375 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs primaires c.c./c.c.
• Commutateurs de charge
• Gestion de l'alimentation