MOSFET P Vishay 110 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SUM110P06-08L
- Code commande RS:
- 919-0922
- Référence fabricant:
- SUM110P06-08L-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 919-0922
- Référence fabricant:
- SUM110P06-08L-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | SUM110P06-08L | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | -1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.75W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.41mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série SUM110P06-08L | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf -1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.75W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.41mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
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