MOSFET canal N Infineon 129 A 80 V P, TO-252 IPD
- Code commande RS:
- 259-2599
- Référence fabricant:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (2 unités, dans un pack de 2)*
5,26 €
HT
6,32 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 702 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,63 € | 5,26 € |
| 20 - 48 | 2,33 € | 4,66 € |
| 50 - 98 | 2,215 € | 4,43 € |
| 100 - 198 | 2,05 € | 4,10 € |
| 200 + | 1,89 € | 3,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-2599
- Référence fabricant:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 129A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | IPD | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Mode de canal | P | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 129A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série IPD | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Mode de canal P | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance Infineon StrongIRFET 2 sont optimisés pour une large gamme d'applications telles que les SMPS, l'entraînement de moteur, l'alimentation par batterie, la gestion de batterie, les UPS et les véhicules électriques légers. Cette nouvelle technologie offre jusqu'à 40 % d'amélioration de RDS(on) et jusqu'à 60 % de Qg inférieur par rapport aux dispositifs StrongIRFET précédents, ce qui se traduit par un meilleur rendement énergétique pour une meilleure performance globale du système. Des courants nominaux plus élevés permettent une plus grande capacité de transport de courant, ce qui élimine le besoin de plusieurs périphériques en parallèle, ce qui se traduit par une réduction des coûts BOM et des économies de carte.
Large disponibilité auprès des partenaires de distribution
Excellent rapport qualité/prix
Idéal pour les fréquences de commutation élevées et basses
Encombrement standard de l'industrie, boîtier traversant
Intensité nominale élevée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 129 A 80 V P, TO-252 IPD
- MOSFET P Infineon 15.1 A P, TO-252 IPD
- MOSFET P Infineon 2.6 A N, TO-252 IPD
- MOSFET N Infineon 1.7 A P, TO-252 IPD
- MOSFET N Infineon 13 A P, TO-252 IPD
- MOSFET P Infineon 4.4 A N, TO-252 IPD
- MOSFET N Infineon 98 A 80 V N, TO-252 IPD
- MOSFET P Infineon 70 A 30 V N, TO-252 IPD