MOSFET Vishay canal N, SOT-23 2,1 A 60 V, 3 broches

Le transistor MOSFET à canal N à montage en surface de Vishay est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source Il est doté d'une résistance drain-source de 156Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance nominale maximale est de 1,66 W et son courant de drain continu de 2,3 A. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 4,5 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Sans halogène
Sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Commutateur de batterie
• Convertisseur c.c./c.c.

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
CEI 61249-2-21
• testé Rg
Testé par l'ISU