MOSFET de puissance 1 canal Type P Simple Vishay 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB Non
- Code commande RS:
- 180-8845
- Référence fabricant:
- IRF9Z30PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-8845
- Référence fabricant:
- IRF9Z30PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 50V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.14Ω | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 74W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Longueur | 14.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.52mm | |
| Hauteur | 6.48mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 50V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.14Ω | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 74W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Longueur 14.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.52mm | ||
Hauteur 6.48mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-220AB à canal P, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 140 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 74 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Technologie de processus Advanced
Commutation rapide
• Entièrement avalanché
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Applications
• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)
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