MOSFET canal N DiodesZetex 80 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-6893
- Référence fabricant:
- DMN3009SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
402,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,161 € | 402,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-6893
- Référence fabricant:
- DMN3009SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 44W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.26mm | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 44W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.26mm | ||
Largeur 6.2mm | ||
Longueur 6.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Applications
Fonctions de gestion de l'alimentation
Convertisseurs c.c.-c.c.
Industrie
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