MOSFET canal N DiodesZetex 80 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-252 DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7249
- Référence fabricant:
- DMN3009SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
10,45 €
HT
12,55 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 900 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,418 € | 10,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-7249
- Référence fabricant:
- DMN3009SK3-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | DMN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 42nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 44W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Largeur | 6.2mm | |
| Hauteur | 2.26mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série DMN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 42nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 44W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.7mm | ||
Largeur 6.2mm | ||
Hauteur 2.26mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Applications
Fonctions de gestion de l'alimentation
Convertisseurs c.c.-c.c.
Industrie
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 80 A 30 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 38 A 30 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 12.2 A 40 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 28 A 40 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 14.4 A 30 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 43 A 30 V Enrichissement TO-252 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 5.3 A 100 V Enrichissement PowerDI3333 DMN AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 15 A 30 V Enrichissement TSSOP DMN AEC-Q101