MOSFET P DiodesZetex 600 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 182-7329
- Référence fabricant:
- DMP21D6UFD-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 182-7329
- Référence fabricant:
- DMP21D6UFD-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 600mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | X1-DFN | |
| Série | DMP | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 800mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 480μm | |
| Longueur | 1.25mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.25mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 600mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier X1-DFN | ||
Série DMP | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 800mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 480μm | ||
Longueur 1.25mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.25mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant dexcellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Très faible tension de seuil de porte, -1,0 V max.
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Grille protégée ESD
Entièrement sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
Fonctions de gestion de l'alimentation
Convertisseurs c.c.-c.c.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P DiodesZetex 600 mA 20 V Enrichissement X1-DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 192 mA 65 V Enrichissement X1-DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex -5.5 A 20 V Enrichissement DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 200 mA 30 V Enrichissement X2-DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement X1-DFN1006-3 DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 2.5 A 20 V Enrichissement X2-DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET P DiodesZetex 4.7 A 20 V Enrichissement X2-DFN DMP AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 407 mA 60 V Enrichissement X1-DFN DMN AEC-Q101
