MOSFET P DiodesZetex 600 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMP AEC-Q101

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Code commande RS:
182-7329
Référence fabricant:
DMP21D6UFD-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

600mA

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

X1-DFN

Série

DMP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.8nC

Tension directe Vf

-1.1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

800mW

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

480μm

Longueur

1.25mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.25mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible résistance à état passant

Très faible tension de seuil de porte, -1,0 V max.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Grille protégée ESD

Entièrement sans plomb

Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique

Applications

Fonctions de gestion de l'alimentation

Convertisseurs c.c.-c.c.

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