MOSFET canal N DiodesZetex 0.9 A 20 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
182-6892
Référence fabricant:
DMN2450UFD-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

0.9A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

DMN

Type de Boitier

X1-DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

890mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.25mm

Hauteur

0.48mm

Normes/homologations

No

Longueur

1.25mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible résistance à état passant

Très faible tension de seuil de porte, 1,0 V max.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Grille protégée ESD

Entièrement sans plomb

Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique

Applications

Fonctions de gestion de l'alimentation

Systèmes alimentés par batterie et les relais à semi-conducteur

Commutateur de charge

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