Références fabricant

MOSFET canal N DiodesZetex 900 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101

Code commande RS:: 182-7197
Référence fabricant:: DMN2450UFD-7
Marque:: DiodesZetex

MOSFET canal N DiodesZetex 900 mA 20 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 182-7197
Référence fabricant:: DMN2450UFD-7
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	900mA
	Tension Drain Source maximum Vds	20V
	Type de Boitier	X1-DFN
	Série	DMN
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.6mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	890mW
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.7nC
	Tension directe Vf	1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	12V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Longueur	1.25mm
	Hauteur	480μm
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.25mm
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 900mA
	Tension Drain Source maximum Vds 20V
	Type de Boitier X1-DFN
	Série DMN
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.6mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 890mW
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.7nC
	Tension directe Vf 1.2V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 12V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Longueur 1.25mm
	Hauteur 480μm
	Normes/homologations No
	Largeur 1.25mm
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet DMN2450UFD-7

Pays d'origine :: CN

Ce transistor MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant d’excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible résistance à état passant

Très faible tension de seuil de porte, 1,0 V max.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Grille protégée ESD

Entièrement sans plomb

Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique

Applications

Fonctions de gestion de l'alimentation

Systèmes alimentés par batterie et les relais à semi-conducteur

Commutateur de charge

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