MOSFET canal N DiodesZetex 1.4 A 12 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101
- Code commande RS:
- 790-4583
- Référence fabricant:
- DMN1150UFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 50 unités)*
13,50 €
HT
16,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 05 avril 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,27 € | 13,50 € |
| 500 - 2450 | 0,257 € | 12,85 € |
| 2500 + | 0,246 € | 12,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 790-4583
- Référence fabricant:
- DMN1150UFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Série | DMN | |
| Type de Boitier | X1-DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 210mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tension directe Vf | 0.7V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -6, +6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 0.68mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.08mm | |
| Hauteur | 0.48mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Série DMN | ||
Type de Boitier X1-DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 210mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tension directe Vf 0.7V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -6, +6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 0.68mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.08mm | ||
Hauteur 0.48mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
Transistors MOSFET, Diodes Inc.
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