MOSFET canal N DiodesZetex 1.4 A 12 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMN AEC-Q101

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Code commande RS:
169-7186
Référence fabricant:
DMN1150UFB-7B
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1.4A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

X1-DFN

Série

DMN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

210mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

-6V, +6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

500mW

Charge de porte typique Qg @ Vgs

1.5nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

1.08mm

Hauteur

480μm

Largeur

680μm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc


Transistors MOSFET, Diodes Inc.


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