MOSFET DiodesZetex canal N, U-DFN1006-6 1,3 A 20 V, 6 broches

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré en boîtier U-DFN1006-3 et son profil de 0,6 mm le rend idéal pour les applications à faible encombrement. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste.

La tension maximale entre le drain et la source est de 20 V. La tension maximale entre la grille et la source est de ±12 V. L'empreinte du circuit imprimé est de 4 mm². La tension de seuil de la grille est faible Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques