MOSFET P DiodesZetex 192 mA 65 V Enrichissement, 3 broches, X1-DFN DMP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 222-2863
- Référence fabricant:
- DMP68D0LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 222-2863
- Référence fabricant:
- DMP68D0LFB-7B
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 192mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 65V | |
| Série | DMP | |
| Type de Boitier | X1-DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.21W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 1.08mm | |
| Largeur | 680μm | |
| Hauteur | 530μm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 192mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 65V | ||
Série DMP | ||
Type de Boitier X1-DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.21W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 1.08mm | ||
Largeur 680μm | ||
Hauteur 530μm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration de canal P est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
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