MOSFET onsemi canal N, DFN 80 A 100 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 185-7988
- Référence fabricant:
- FDWS86068-F085
- Marque:
- onsemi
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1,531 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
---|---|---|
3000 + | 1,531 € | 4 593,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 185-7988
- Référence fabricant:
- FDWS86068-F085
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Non conforme RoHS
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
MOSFET N-Channel PowerTrench® 100V, 80A, 4,5 mΩ
RDS(on) type = 5,2 mΩ à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Qg(tot) typique = 31 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Capacité UIS
Ces dispositifs sont sans plomb
Flancs mouillables pour l'inspection optique automatique (AOI)
Applications
Commande de moteurs automobiles
Gestion de groupe propulseur
Drivers de solénoïde et de moteur
Direction électronique
Qg(tot) typique = 31 nC à VGS = 10 V, ID = 80 A.
Capacité UIS
Ces dispositifs sont sans plomb
Flancs mouillables pour l'inspection optique automatique (AOI)
Applications
Commande de moteurs automobiles
Gestion de groupe propulseur
Drivers de solénoïde et de moteur
Direction électronique
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 80 A |
Tension Drain Source maximum | 100 V |
Type de boîtier | DFN |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 8 |
Résistance Drain Source maximum | 6,4 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 214 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | ±20 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 5.1mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Largeur | 6.3mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Tension directe de la diode | 1.3V |
Standard automobile | AEC-Q101 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 1.05mm |
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